Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86367, 80В, 100А, DPAK (набір 10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM073657
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86367, 80В, 100А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86367 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 80 В. Компонент виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлений за технологією PowerTrench®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 80 В
- Струм стіка: 100 А
- Потужність розсіювання: 227 Вт
- Опір у відкритому стані: 8,4 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: PowerTrench®
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 80 В та витримує струм стіка 100 А. Потужність розсіювання становить 227 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8,4 мОм.
Керування та технологія
Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 88 нКл. Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®.
Комплект поставки
Увага: товар продається набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 227 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴