Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86252, 150В, 27А, DPAK (набір 10 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM073656
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86252, 150В, 27А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86252 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 150 В та струм 27 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-виток: 150 В
- Максимальний струм дренажу: 27 А
- Розсіювана потужність: 89 Вт
- Опір у відкритому стані: 103 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні характеристики
Прилад має максимальну розсіювану потужність 89 Вт та опір у відкритому стані 103 мОм. Дозволене напруга між затвором і витоком становить ±20 В. Ці характеристики визначають електричні можливості компонента в схемах.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі DPAK. Таке виконання забезпечує зручність для автоматизованого поверхневого монтажу (SMD) на друкованих платах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 89 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 27 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 103 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴