
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250, 150В, 27А, DPAK — набір 10 шт.
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM073655
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250 — це напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 27 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 27 А
- Потужність розсіювання: 132 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Технологія: PowerTrench®
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Потужність та електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 132 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 150 В, а струм стоку — 27 А. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації компонента в електричних колах.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®, що впливає на його внутрішню структуру та характеристики перемикання. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Увага: товар поставляється набором із 10 штук. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 164 А.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 132 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 27 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴
