Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250, 150В, 27А, DPAK — набір 10 шт.

1 850 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073655
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250, 150В, 27А, DPAK — набір 10 шт.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250, 150В, 27А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250 — це напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 27 А.

  • Тип транзистора: N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 150 В
  • Максимальний струм стоку: 27 А
  • Потужність розсіювання: 132 Вт
  • Корпус: DPAK (монтаж SMD)
  • Технологія: PowerTrench®
  • Кількість у комплекті: 10 шт.

Потужність та електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 132 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 150 В, а струм стоку — 27 А. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації компонента в електричних колах.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®, що впливає на його внутрішню структуру та характеристики перемикання. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

Увага: товар поставляється набором із 10 штук. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 164 А.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання132 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік150 В
Максимально допустимий струм стоку27 А
Опір у відкритому стані (Rds)45 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 850 ₴