Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD770N15A, 150В, 18А, DPAK (набір 20 шт.)
3 120 ₴
- В наявності
- Код: TM018576
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD770N15A, 150В, 18А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
3 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD770N15A — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Пакет із 20 штук.
- Набір із 20 транзисторів для серійного монтажу
- Максимальна напруга дрена-джерела 150 В
- Струм дрена до 18 А
- Розсіювана потужність 56,8 Вт
- Опір у стані провідності 77 мОм
- Корпус DPAK для SMD монтажу
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 150 В та витримує струм дрена 18 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 56,8 Вт.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 77 мОм.
Транзистор ONSEMI FDD770N15A — силовий ключ для електронних схем.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 56.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 77 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 120 ₴