Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5N60NZTM, 600В, 2,4А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5N60NZTM — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар постачається набором із 20 одиниць у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).

• Набір із 20 транзисторів
• Корпус DPAK для SMD монтажу
• Максимальна напруга 600 В
• Струм дрена 2,4 А
• Розсіювана потужність 83 Вт
• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 2,4 А. Параметри дозволяють використовувати компонент у відповідних електричних схемах.

Ефективне відведення тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 83 Вт. Максимальна розсіювана потужність становить 83 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK із типом монтажу SMD. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±25 В, а опір у стані провідності — 2 Ом. Тип монтажу: SMD.