Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353, 60В, 50А, DPAK (набір 10 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035591
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353, 60В, 50А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 50 А
- Опір у відкритому стані: 20,3 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 69 Вт
- Набір: 10 штук
Напруга та струм
Транзистор має напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стоку 50 А. Опір у відкритому стані становить 20,3 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 65 нКл.
Потужність та технологія
Прилад виготовлений за технологією PowerTrench®. Максимальна розсіювана потужність становить 69 Вт. Канал транзистора збагачуваний.
Монтаж та корпус
У комплекті 10 транзисторів ONSEMI FDD5353.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 69 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴