Транзистор ONSEMI FDD4141 P-MOSFET, DPAK, 20 шт.

P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDD4141 у корпусі DPAK. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 69 Вт та опір у відкритому стані 18,7 мОм.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
• Максимальна потужність розсіювання: 69 Вт
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 18,7 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18,7 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD), що дозволяє розміщувати транзистор на поверхні друкованої плати без свердління отворів.

Технічні характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів. Заряд затвора становить 50 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode), а полярність — уніполярна.