Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD4141, DPAK, -40В, -10,8А (набір 20 шт.)

P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDD4141 у корпусі DPAK є уніполярним компонентом для електронних схем. Цей набір із 20 компонентів забезпечує надійну роботу при напрузі до -40 В та струмі до -10,8 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: -40 В
• Максимальний струм стоку: -10,8 А
• Потужність розсіювання: 69 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у наборі: 20 шт.

Ефективне керування струмом

Транзистор працює як уніполярний ключ із каналом збагачення, що дозволяє точно керувати навантаженням у схемах живлення. Максимальний струм стоку становить -10,8 А, що підходить для потужних споживачів. Низький опір у відкритому стані (18,7 мОм) зменшує нагрівання компонента під час роботи.

Надійність та тепловий режим

Компонент розрахований на розсіювання потужності до 69 Вт, що гарантує стабільну роботу навіть у складних умовах. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора 50 нКл сприяє швидкому перемиканню станів.

Зручність монтажу та комплектація

Транзистори виготовлені за технологією PowerTrench®, що підвищує ефективність та надійність. Корпус DPAK та SMD-монтаж дозволяють компактно розмістити компоненти на друкованій платі. Набір із 20 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання.

Цей комплект транзисторів ONSEMI FDD4141 є оптимальним рішенням для інженерів та радіоаматорів, які потребують якісних компонентів для модернізації або створення електронних схем із вимогами до комутації струму.## Електричні параметри каналуТранзистор має канал збагачення, що визначає його поведінку в схемах керування. Максимальна напруга стік-витік становить -40 В, що обмежує робочий діапазон напруг у ланцюзі. Струм стоку може досягати -10,8 А, що дозволяє підключати потужні навантаження.## Теплові характеристики та опірКомпонент здатен розсіювати потужність до 69 Вт, що важливо для стабільної роботи під навантаженням. Опір у стані провідності дорівнює 18,7 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання. Заряд затвора становить 50 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.