Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD306P, DPAK, -12В, -6,7А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD306P — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -12 В
• Струм дрена: -6,7 А
• Потужність розсіювання: 52 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні характеристики

Транзистор має напругу дрена-джерела -12 В та струм дрена -6,7 А. Потужність розсіювання становить 52 Вт, а опір у стані провідності — 90 мОм. Напруга затвор-джерело дорівнює ±8 В, а заряд затвора — 21 нКл.

Корпус та технологія PowerTrench®

Компонент виготовлений у корпусі DPAK, що забезпечує компактність та надійність контактів. Застосування технології PowerTrench® від ONSEMI оптимізує параметри перемикання. Монтаж виконується методом SMD, що підходить для автоматизованих ліній збирання плат.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів. Це дозволяє одночасно забезпечити кілька вузлів схеми або створити запас для майбутніх потреб.