Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD16AN08A0, 75В, 50А, DPAK, набір 10 шт.
2 260 ₴
- В наявності
- Код: TM073652
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD16AN08A0, 75В, 50А, DPAK, набір 10 шт.В наявності
2 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FDD16AN08A0 типу N-MOSFET у корпусі DPAK. Характеризується напругою до 75 В та струмом до 50 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 75 В
- Струм стоку: 50 А
- Потужність розсіювання: 135 Вт
- Опір у відкритому стані: 37 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має напругу стік-витік 75 В та максимальний струм стоку 50 А. Потужність розсіювання становить 135 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 37 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD. Монтаж виконується методом SMD.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів. Використовується технологія PowerTrench®. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 47 нКл. Канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 135 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 260 ₴