Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набір 10 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM035590
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 50 А при напрузі 60 В. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі DPAK із технологією PowerTrench®.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 50 А
- Потужність розсіювання: 115 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 50 А. Опір у відкритому стані становить 34 мОм. Загальна потужність розсіювання дорівнює 115 Вт, а заряд затвора — 29 нКл.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у поверхневому корпусі DPAK, що дозволяє використовувати технологію монтажу SMD.
Комплектація
У пакуванні знаходиться 10 транзисторів ONSEMI FDD13AN06A0.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴