Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набір 20 шт.)
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM073651
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 50 А
- Розсіювана потужність: 135 Вт
- Опір у відкритому стані: 27 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стіка 50 А. Опір у відкритому стані становить 27 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора — 4,6 нКл.
Теплові характеристики та технологія
Прилад виготовлений за технологією PowerTrench®. Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 135 Вт. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode).
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів ONSEMI FDD10AN06A0.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 135 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴