Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC658P, SuperSOT-6, -30В, -4А (набір 20 шт.)

Транзистор ONSEMI FDC658P — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення. Компонент виконаний у компактному корпусі SuperSOT-6 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 20 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -30 В
• Струм стоку: -4 А
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 80 мОм
• Потужність розсіювання: 1,6 Вт
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до -30 В та витримує струм стоку до -4 А. Опір у відкритому стані становить 80 мОм. Загальний заряд затвора дорівнює 12 нКл, а максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою.