Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N, 30В, 5А, SuperSOT-6 (набір 20 шт.)
2 110 ₴
- В наявності
- Код: TM073649
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N, 30В, 5А, SuperSOT-6 (набір 20 шт.)В наявності
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана у компактному корпусі SuperSOT-6 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 5 А
- Опір у відкритому стані: 56 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 20 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 30 В та витримує струм стіка 5 А. Опір у відкритому стані становить 56 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,6 Вт, а заряд затвора — 16 нКл.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SuperSOT-6 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 56 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 110 ₴