
Транзистор ONSEMI FDC6401N N-MOSFET x2, SuperSOT-6, 20V, 3A (набір 20 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM073648
Транзистор ONSEMI FDC6401N — це подвійний N-канальний MOSFET у корпусі SuperSOT-6, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць, що забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту плат.
- Подвійний N-канальний MOSFET (N-MOSFET x2)
- Напруга стік-витік 20 В, струм стіка 3 А
- Корпус SuperSOT-6 для SMD-монтажу
- Опір у відкритому стані 106 мОм
- Розсіювана потужність 0,96 Вт
- Комплект: 20 транзисторів
Електричні параметри та потужність
Пристрій має напругу стік-витік 20 В та струм стіка 3 А, що визначає його робочий діапазон у низьковольтних схемах. Опір у відкритому стані становить 106 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму. Максимальна розсіювана потужність обмежена 0,96 Вт, тому транзистор потребує належного теплового режиму.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®, що впливає на його швидкодію та ефективність. Корпус SuperSOT-6 є компактним рішенням для SMD-монтажу, дозволяючи економити місце на друкованій платі. Заряд затвора становить 4,6 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±12 В, що визначає вимоги до керуючого сигналу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.96 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 106 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 1 910 ₴
