Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC6401N, 20 В, 3 А, SuperSOT-6 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC6401N — це польовий транзистор з каналом типу n, призначений для поверхневого монтажу. Модель виконана в корпусі SuperSOT-6 та реалізується набором із 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 20 В
• Максимальний струм стоку: 3 А
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж поверхневий
• Опір у відкритому стані: 106 мОм
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 20 В, а напруга затвор-витік — 12 В. Максимальний струм стоку дорівнює 3 А, що визначає робочий діапазон пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) складає 106 мОм, що впливає на теплові втрати при комутації. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 0,96 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі SuperSOT-6. Тип монтажу — поверхневий (SMD), що вимагає відповідного обладнання для пайки. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярною. Заряд затвора становить 4,6 нКл.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті поставляється 20 транзисторів. Символ виробника: FDC6401N.