Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC638APZ, SuperSOT-6, -20В, -4,5А (комплект 30 шт.)
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM035589
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC638APZ, SuperSOT-6, -20В, -4,5А (комплект 30 шт.)В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDC638APZ у корпусі SuperSOT-6. Призначений для монтажу на поверхню плати (SMD). Поставляється комплектом із 30 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: -20 В
- Струм стіка: -4,5 А
- Опір у відкритому стані: 72 мОм
- Потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Корпус: SuperSOT-6 (SMD)
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор працює при напрузі стік-витік -20 В та витримує струм стіка -4,5 А. Низький опір у відкритому стані 72 мОм зменшує втрати енергії під час роботи. Максимальна потужність розсіювання становить 1,6 Вт, що визначає тепловий режим компонента.
Корпус та монтаж
Компонент розміщений у компактному корпусі SuperSOT-6, що дозволяє економити місце на платі. Технологія монтажу SMD забезпечує автоматизоване встановлення та надійний контакт. Виріб виготовлений за технологією PowerTrench®, яка оптимізує швидкодію та ефективність польових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 72 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴