Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637AN, 20V, 6,2A, SuperSOT-6 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637AN — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SuperSOT-6 із технологією PowerTrench®, розрахована на напругу 20 В та струм 6,2 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 20 В
• Струм стіка: 6,2 А
• Розсіювана потужність: 1,6 Вт
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
• Технологія: PowerTrench®
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри та заряд затвора

Транзистор працює з напругою стік-витік 20 В та витримує напругу затвор-витік ±20 В. Максимальний струм стіка становить 6,2 А, а розсіювана потужність — 1,6 Вт. Опір у відкритому стані становить 41 мОм. Заряд затвора дорівнює 16 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SuperSOT-6 із застосуванням технології PowerTrench®. Призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

Товар постачається набором із 30 транзисторів. Код виробника для ідентифікації компонента — FDC637AN.