Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.

2 320 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035588
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 30 комплементарних транзисторів ONSEMI FDC6333C у корпусі SuperSOT-6. Це N/P-MOSFET пари з напругою 30/-30 В та струмом 2,5/-2 А, призначені для SMD-монтажу.

  • Комплект із 30 транзисторів
  • Комплементарна пара N/P-MOSFET
  • Напруга дрена-джерела 30/-30 В
  • Струм дрена 2,5/-2 А
  • Корпус SuperSOT-6, монтаж SMD
  • Технологія PowerTrench®

Комплементарна пара N/P-MOSFET

Транзистор FDC6333C є комплементарною парою, що об'єднує N-канальний та P-канальний MOSFET в одному корпусі. Канали є збагачуваними (enhancement mode), що забезпечує стандартну логіку керування.

Електричні параметри

Максимальна напруга дрена-джерела становить 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм дрена дорівнює 2,5 А та -2 А відповідно. Опір у стані провідності (Rds(on)) — 150 мОм для N-каналу та 220 мОм для P-каналу. Потужність розсіювання — 0,96 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6 із технологією PowerTrench®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора (Qg) становить 6,6 нКл для N-каналу та 5,7 нКл для P-каналу. Напруга затвор-джерело — ±16/±25 В.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.96 Вт
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSuperSOT-6
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 320 ₴