
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM035588
Комплект із 30 комплементарних транзисторів ONSEMI FDC6333C у корпусі SuperSOT-6. Це N/P-MOSFET пари з напругою 30/-30 В та струмом 2,5/-2 А, призначені для SMD-монтажу.
- Комплект із 30 транзисторів
- Комплементарна пара N/P-MOSFET
- Напруга дрена-джерела 30/-30 В
- Струм дрена 2,5/-2 А
- Корпус SuperSOT-6, монтаж SMD
- Технологія PowerTrench®
Комплементарна пара N/P-MOSFET
Транзистор FDC6333C є комплементарною парою, що об'єднує N-канальний та P-канальний MOSFET в одному корпусі. Канали є збагачуваними (enhancement mode), що забезпечує стандартну логіку керування.
Електричні параметри
Максимальна напруга дрена-джерела становить 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм дрена дорівнює 2,5 А та -2 А відповідно. Опір у стані провідності (Rds(on)) — 150 мОм для N-каналу та 220 мОм для P-каналу. Потужність розсіювання — 0,96 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6 із технологією PowerTrench®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора (Qg) становить 6,6 нКл для N-каналу та 5,7 нКл для P-каналу. Напруга затвор-джерело — ±16/±25 В.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.96 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 2 320 ₴
