Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарна пара, SuperSOT-6, 20 шт.

2 230 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073644
Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарна пара, SuperSOT-6, 20 шт.
Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарна пара, SuperSOT-6, 20 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 20 комплементарних транзисторів ONSEMI FDC6327C типу N/P-MOSFET у корпусі SuperSOT-6. Призначений для монтажу на поверхню плати (SMD).

  • Комплект із 20 транзисторів
  • Тип: комплементарна пара N/P-MOSFET
  • Корпус: SuperSOT-6 (SMD монтаж)
  • Напруга стік-витік: 20/-20 В
  • Струм стіка: 2,7/-1,9 А
  • Розсіювана потужність: 0,96 Вт

Комплементарна пара N/P-MOSFET

Транзистор FDC6327C є комплементарною парою, що містить у одному корпусі два польових транзистори: N-канальний та P-канальний. Така конструкція містить два транзистори в одному корпусі. Обидва транзистори є уніполярними та мають збагачуваний канал.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 20 В для N-канального та -20 В для P-канального транзисторів. Максимальний струм стіка дорівнює 2,7 А та -1,9 А відповідно. Опір у відкритому стані (Rds(on)) складає 0,13 Ом для N-каналу та 0,27 Ом для P-каналу. Максимальна розсіювана потужність — 0,96 Вт.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 0,96 Вт. Напруга затвор-витік дорівнює ±8 В.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.96 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік8 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусSuperSOT-6
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 230 ₴