Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC6318P, SuperSOT-6, 30 шт.

Транзистор ONSEMI FDC6318P — це комплект із 30 штук подвійних P-канальних MOSFET-транзисторів у корпусі SuperSOT-6. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних схемах, де потрібне керування струмом до -2,5 А при напрузі -12 В.

• Комплект із 30 транзисторів P-MOSFET
• Корпус SuperSOT-6 для поверхневого монтажу (SMD)
• Струм дренажу до -2,5 А
• Напруга дренаж-виток -12 В
• Опір у стані провідності 0,2 Ом
• Технологія PowerTrench®

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним P-MOSFET з двома каналами в одному корпусі. Максимальний струм дренажу становить -2,5 А, а напруга дренаж-виток — -12 В. Опір у стані провідності дорівнює 0,2 Ом. Напруга затвор-виток обмежена ±8 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SuperSOT-6. Використовується технологія PowerTrench®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

У пакеті постачається 30 транзисторів FDC6318P. Символ виробника: FDC6318P. Потужність розсіювання становить 0,96 Вт. Заряд затвора дорівнює 8 нКл. Канал є збагачуваним.