Транзистор ONSEMI FDC6312P, P-MOSFET x2, SuperSOT-6, SMD, комплект 20 шт.
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM073640
Транзистор ONSEMI FDC6312P, P-MOSFET x2, SuperSOT-6, SMD, комплект 20 шт.В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI FDC6312P — це подвійний P-канальний MOSFET у корпусі SuperSOT-6 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: подвійний P-MOSFET (P-MOSFET x2)
- Корпус: SuperSOT-6
- Монтаж: SMD (поверхневий)
- Напруга стік-джерело: -20 В
- Струм стоку: -2,3 А
- Потужність розсіювання: 0,96 Вт
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має два P-канальних MOSFET в одному корпусі. Максимальна напруга стік-джерело становить -20 В, а струм стоку — -2,3 А. Потужність розсіювання дорівнює 0,96 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD).
Додаткові характеристики
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.96 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴