Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ, SuperSOT-6, -30В, -4,9А (набір 30 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM073637
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ, SuperSOT-6, -30В, -4,9А (набір 30 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 30 одиниць у корпусі SuperSOT-6.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -4,9 А
- Розсіювана потужність: 1,6 Вт
- Опір у стані провідності: 75 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 30 штук
Напруга та струм
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела до -30 В та витримує струм дрена до -4,9 А. Напруга затвор-джерело обмежена величиною ±25 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 1,6 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 75 мОм. Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®.
Корпус та комплектація
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴