Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC5614P, SuperSOT-6, -60В, -3А (комплект 30 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035587
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC5614P, SuperSOT-6, -60В, -3А (комплект 30 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDC5614P у корпусі SuperSOT-6. Максимальна напруга стік-витік становить -60 В. Поставляється комплектом із 30 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стіка: -3 А
- Потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,19 Ом
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік -60 В та струм стіка -3 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,19 Ом.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлений за технологією PowerTrench®. Це уніполярний транзистор з каналом збагачення (enhancement mode). Монтаж виконується методом SMD.
Додаткові параметри та комплектація
У пакуванні міститься 30 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвору — 24 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴