
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC5612, 60V, 4.3A, SuperSOT-6 (набір 30 шт.)
2 680 ₴
- В наявності
- Код: TM018571
Набір із 30 транзисторів ONSEMI FDC5612 типу N-MOSFET у корпусі SuperSOT-6. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 60 В і струмом до 4,3 А.
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 4,3 А
- Опір у стані провідності: 94 мОм
- Потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 60 В та максимальний струм дрена 4,3 А. Опір у стані провідності становить 94 мОм, що забезпечує ефективну роботу. Потужність розсіювання обмежена 1,6 Вт.
Технологія та монтаж
Використовується технологія PowerTrench®, яка оптимізує характеристики перемикача. Компоненти мають монтаж SMD та корпус SuperSOT-6, що дозволяє економити місце на платі. Поляризація — уніполярна, канал збагачуваний.
Зарядні характеристики та керування
Заряд воріт становить 18 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Максимальна напруга між затвором і витоком — ±20 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. Ці параметри важливі для стабільної роботи схеми при високих частотах.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 2 680 ₴
