Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N, SuperSOT-6, 100В, 1А (набір 30 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM035585
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N, SuperSOT-6, 100В, 1А (набір 30 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N — це уніполярний компонент з подвійним каналом у корпусі SuperSOT-6. Пристрій розрахований на напругу 100 В та струм 1 А.
- Тип: N-MOSFET x2, уніполярний
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Напруга витоку-джерела: 100 В
- Струм витоку: 1 А
- Розсіювана потужність: 0,96 Вт
- Опір у стані провідності: 976 мОм
- Кількість у наборі: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор має тип каналу N-MOSFET x2 та уніполярну полярність. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 100 В, а допустимий струм витоку — 1 А. Опір у стані провідності дорівнює 976 мОм.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-6 та призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 0,96 Вт.
Комплектація
Товар поставляється як набір із 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.96 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 976 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴