Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB5800, 60В, 80А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB5800 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту електронних блоків. Полярність транзистора — уніполярна, що спрощує схемотехніку керування.

• Струм стоку 80 А для потужних силових ланцюгів
• Напруга стік-витік 60 В
• Розсіювана потужність 242 Вт
• Опір у відкритому стані 12,6 мОм
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Комплект із 10 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальну розсіювану потужність 242 Вт та постійний струм стоку 80 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де важлива стабільність роботи під великим струмом.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 12,6 мОм, що забезпечує низькі втрати енергії та мінімальний нагрів при пропусканні струму.

Низькі втрати та ефективність перемикання

Технологія PowerTrench® забезпечує швидке перемикання та зниження втрат енергії. Заряд затвора становить 135 нКл, що впливає на швидкість керування транзистором. Канал типу «збагачуваний» (enhancement mode) гарантує надійне відкривання при подачі напруги на затвор.