Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM, 250В, 26,4А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM018569
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM, 250В, 26,4А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізується комплектом із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 250 В
- Струм дрена: 26,4 А
- Розсіювана потужність: 307 Вт
- Опір у стані провідності: 69 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 250 В та струм дрена 26,4 А. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 307 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 69 мОм, а заряд затвора — 61 нКл.
Монтаж та комплектація
Компонент виготовлений за технологією UniFET™ у корпусі D2PAK для монтажу SMD. У комплекті поставляється 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 307 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 69 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 880 ₴