Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652, 100V, 61A, D2PAK (набір 10 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM018568
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652, 100V, 61A, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі D2PAK із технологією PowerTrench®.
- Струм стоку 61 А
- Розсіювана потужність 150 Вт
- Напруга стік-витік 100 В
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Технологія PowerTrench®
- Набір із 10 транзисторів
Параметри струму та потужності
Транзистор має постійний струм стоку 61 А та розсіювану потужність 150 Вт. Заряд затвора становить 53 нКл, а опір у відкритому стані — 43 мОм.
Напругові характеристики
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент має корпус D2PAK та призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 61 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴