Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB33N25TM, 250В, 33А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM073635
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB33N25TM, 250В, 33А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FDB33N25TM типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та працюють за технологією UniFET™.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 250 В
- Струм стоку: 33 А
- Потужність розсіювання: 235 Вт
- Опір у відкритому стані: 94 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: UniFET™
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають напругу стік-витік 250 В та струм стоку 33 А. Потужність розсіювання становить 235 Вт, а опір у відкритому стані — 94 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі D2PAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴