
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2572, 150В, 29А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM018567
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2572 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Модель вирізняється робочою напругою 150 В та струмом стоку 29 А,. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Струм стоку 29 А
- Робоча напруга 150 В
- Потужність розсіювання 135 Вт
- Опір у відкритому стані 146 мОм
- Корпус D2PAK для SMD монтажу
- Комплект із 10 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор здатний розсіювати потужність до 135 Вт, що дозволяє використовувати його в схемах із високим навантаженням. Максимальний струм стоку становить 29 А, що забезпечує ефективну комутацію потужних навантажень.
Електричні характеристики
Робоча напруга між стоком та витоком (VDS) дорівнює 150 В, що визначає клас напруги пристрою. Напруга на затворі (VGS) може змінюватися в межах ±20 В,. Опір у відкритому стані (RDS(on)) становить 146 мОм,.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®,. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD),. Заряд затвора становить 34 нКл,.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 135 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 29 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 146 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 2 600 ₴
