Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532, 150В, 56А, D2PAK (набір 10 шт.)
3 680 ₴
- В наявності
- Код: TM018566
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532, 150В, 56А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 680 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532 — це напівпровідниковий прилад. Модель розрахована на напругу 150 В та струм 56 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі D2PAK.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга дренаж-витік: 150 В
- Максимальний струм дренажу: 56 А
- Розсіювана потужність: 310 Вт
- Опір у відкритому стані: 14 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Набір: 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну розсіювану потужність 310 Вт. Опір у відкритому стані становить 14 мОм.
Монтаж та технологія
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD. Технологія PowerTrench® від виробника ONSEMI. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Транзистор ONSEMI FDB2532 поставляється набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 310 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 56 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 680 ₴