Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB15N50, 500В, 11А, D2PAK (набір 10 шт.)
3 510 ₴
- В наявності
- Код: TM018565
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB15N50, 500В, 11А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB15N50 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та максимальною розсіюваною потужністю 300 Вт. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.
- Напруга стік-витік: 500 В
- Струм стіка: 11 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 0,33 Ом
- Комплектація: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та постійний струм стіка 11 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та пропускної здатності.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 300 Вт, що вимагає належного теплового режиму при експлуатації. Корпус D2PAK, монтаж SMD. Опір у відкритому стані: 0,33 Ом.
Зручність для виробництва
Комплектація: набір 10 шт. Монтаж: SMD. Технологія: UniFET™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 330 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 510 ₴