Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0, 60В, 62А, D2PAK (комплект 20 шт.)
3 260 ₴
- В наявності
- Код: TM035584
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0, 60В, 62А, D2PAK (комплект 20 шт.)В наявності
3 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 62 А
- Потужність розсіювання: 115 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 62 А. Опір у відкритому стані становить 34 мОм. Напруга затвор-витік обмежена діапазоном ±20 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 29 нКл.
Теплові характеристики та монтаж
Прилад має потужність розсіювання 115 Вт. Корпус D2PAK та тип монтажу SMD. Технологія PowerTrench®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 62 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 260 ₴