Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB035AN06A0, 60В, 80А, D2PAK (5 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035583
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB035AN06A0 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 80 А при напрузі 60 В. Товар постачається комплектом із 5 штук у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 80 А
- Потужність розсіювання: 310 Вт
- Опір у стані провідності: 7,1 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 60 В та витримує постійний струм дрена 80 А. Потужність розсіювання становить 310 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 7,1 мОм, а заряд затвора — 124 нКл.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® та розміщений у корпусі D2PAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення. Заряд затвора дорівнює 124 нКл. Опір у стані провідності становить 7,1 мОм.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 310 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 2 200 ₴