Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L, 80В, 190А, D2PAK-6 (5 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM018564
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L, 80В, 190А, D2PAK-6 (5 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 5 елементів у корпусі D2PAK-6 для поверхневого монтажу (SMD).
- Струм стоку 190 А
- Імпульсний струм 1440 А
- Напруга стік-витік 80 В
- Опір у відкритому стані 4,3 мОм
- Потужність розсіювання 250 Вт
- Корпус D2PAK-6, монтаж SMD
- Комплект: 5 шт.
Струм та опір
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 190 А та імпульсний струм до 1440 А.## Потужність
Напруга та заряд затвора
Максимальна напруга стік-витік дорівнює 80 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Загальний заряд затвора — 249 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі D2PAK-6. Технологія монтажу SMD дозволяє автоматизувати процес встановлення на друковані плати, забезпечуючи компактність.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 190 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴