Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA69N25, 250V, 44.2A, TO3PN (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA69N25 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO3PN з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 250 В
• Струм дрена: 44,2 А (постійний), 276 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 480 Вт
• Опір у стані провідності: 41 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 250 В та постійний струм дрена 44,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 276 А. Потужність розсіювання становить 480 Вт, а опір у стані провідності — 41 мОм.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO3PN. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи впаюються в отвори друкованої плати.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 5 транзисторів FDA69N25.