Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA59N30, 300В, 35А, TO3PN (набір 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA59N30 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 300 В та струм 35 А. Товар постачається набором із 5 штук у корпусі TO3PN для монтажу на плату.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: 300 В
• Струм стоку: 35 А (імпульсний до 236 А)
• Потужність розсіювання: 500 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор витримує напругу між витоком та джерелом 300 В та постійний струм стоку 35 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 236 А. Опір у відкритому стані становить 56 мОм, а максимальна розсіювана потужність — 500 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO3PN. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (THT). Напруга на затворі обмежена ±30 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 0,1 µC.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 5 транзисторів ONSEMI FDA59N30.