Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA28N50, 500В, 17А, TO3PN (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA28N50 — це потужний напівпровідниковий прилад у корпусі TO3PN, призначений для комутації у силових електронних схемах. Комплект із 10 одиниць забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Напруга дрена-джерела: 500 В
• Постійний струм дрена: 17 А
• Імпульсний струм дрена: 112 А
• Розсіювана потужність: 310 Вт
• Опір у відкритому стані: 155 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектація: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В та витримує постійний струм дрена 17 А. Це дозволяє використовувати компонент у схемах, де потрібна комутація значних навантажень.

Імпульсна потужність

Прилад здатний витримувати імпульсний струм дрена до 112 А та розсіювати потужність 310 Вт. Такі характеристики важливі для схем із різкими пусковими струмами або короткочасними піковими навантаженнями, забезпечуючи стабільну роботу без перегріву.

Технологія UniFET™

Використання технології DMOS та структури UniFET™ забезпечує низький опір у відкритому стані (155 мОм). Це зменшує втрати енергії на нагрівання та підвищує загальний ККД пристрою, що критично для енергоефективних систем.

Зручний монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO3PN з технологією монтажу THT (скрізь отвори). Таке виконання спрощує пайку на друковані плати. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу. Заряд затвора дорівнює 105 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що гарантує відсутність струму в закритому стані без додаткового керування.