Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F, 500В, 14А, TO3PN (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в силових електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм 14 А, що робить її придатною для промислових та енергетичних застосувань.

• Напруга дрена-джерела: 500 В
• Струм дрена: 14 А (імпульсний до 96 А)
• Потужність розсіювання: 270 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Опір у стані провідності: 0,2 Ом
• Набір: 10 штук

Висока напруга та струм

Компонент витримує напругу дрена-джерела до 500 В, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою. Номінальний струм дрена становить 14 А, а імпульсний струм може досягати 96 А, забезпечуючи надійну роботу при короткочасних перевантаженнях.

Потужність розсіювання

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 270 Вт. Це вимагає обов'язкового використання радіаторів або системи охолодження для стабільної роботи під навантаженням.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO3PN, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату або радіатор. Тип монтажу — THT (скрізний), що гарантує механічну міцність з'єднання в умовах вібрацій.

Електричні параметри

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,2 Ом, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі. Заряд затвора становить 85 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.

Комплектація

Товар постачається набором із 10 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.