Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N40F, 400В, 13,8А, TO3PN, набір 5 шт.
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM073632
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N40F, 400В, 13,8А, TO3PN, набір 5 шт.В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів ONSEMI FDA24N40F типу N-MOSFET у корпусі TO3PN. Призначений для монтажу на плату (THT). Максимальна розсіювана потужність — 235 Вт.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачений
- Напруга стік-витік: 400 В
- Струм стіка: 13,8 А (імпульсний 92 А)
- Потужність розсіювання: 235 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Набір: 5 штук
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 400 В та постійний струм стіка 13,8 А. У імпульсному режимі струм може досягати 92 А. Опір у відкритому стані становить 0,19 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO3PN з виводами для монтажу на плату (THT). Максимальна розсіювана потужність — 235 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Заряд затвора та керування Заряд затвора становить 60 нКл, що визначає швидкість перемикання транзистора. Для надійного відкривання каналу напруга затвор-витік не повинна перевищувати ±30 В. Канал транзистора є збагаченим, тому для відкриття потрібна додатна напруга на затворі відносно витоку. ## Комплектація
У пакуванні знаходиться 5 ідентичних транзисторів ONSEMI FDA24N40F.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 400 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴