Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA032N08, 70V, 120A, TO3PN (5 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM073631
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA032N08, 70V, 120A, TO3PN (5 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 потужних N-канальних MOSFET-транзисторів ONSEMI FDA032N08 у корпусі TO3PN. Призначені для комутації струмів до 120 А при напрузі 70 В.
- Струм стоку 120 А, імпульсний 940 А
- Напруга стік-витік 70 В
- Опір у відкритому стані 3,2 мОм
- Корпус TO3PN, монтаж THT
- Розсіювана потужність 37,5 Вт
- Набір із 5 транзисторів
Потужність та струм
Транзистори витримують постійний струм стоку 120 А та імпульсний до 940 А. Максимальна розсіювана потужність становить 37,5 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET, канал збагачуваний, полярність уніполярна.
Електричні параметри
Напруга стік-витік (VDS) — 70 В, напруга затвор-витік (VGS) — ±20 В. Опір у відкритому стані (RDS(on)) — 3,2 мОм. Загальний заряд затвора (Qg) — 0,22 мкКл.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO3PN із технологією PowerTrench®. Монтаж — вивідний (THT). Виробник — ONSEMI, символ виробника — FDA032N08.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 37.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 70 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴