Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCPF400N80Z, 800 В, 6,9 А, TO220FP (набір 5 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM073628
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCPF400N80Z, 800 В, 6,9 А, TO220FP (набір 5 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET від бренду ONSEMI, модель FCPF400N80Z. Компоненти виконані у корпусі TO220FP та призначені для монтажу на друковану плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга сток-джерело: 800 В
- Струм стоку: 6,9 А
- Потужність розсіювання: 35,7 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: SuperFET®
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 800 В, а постійний струм стоку — 6,9 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,4 Ом, що визначає втрати при проходженні струму.
Теплові характеристики та технологія
Потужність розсіювання становить 35,7 Вт. Компонент виготовлений за технологією SuperFET®. Загальний заряд затвора дорівнює 56 нКл, а допустима напруга на затворі — ±20 В.
Комплектація
У наборі постачається 5 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 35.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴