Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP260N65S3, 650В, 12А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів ONSEMI FCP260N65S3 типу N-MOSFET у корпусі TO220-3. Призначені для монтажу на плату (THT) у пристроях із напругою до 650 В та струмом до 12 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 12 А (постійний), 30 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 90 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Опір у відкритому стані: 0,26 Ом
• Заряд затвора: 24 нКл
• Кількість у наборі: 10 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 12 А та імпульсний струм до 30 А. Потужність розсіювання становить 90 Вт, що дозволяє використовувати компонент у силових схемах із помірним навантаженням.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік дорівнює 650 В, а напруга затвор-витік — ±30 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,26 Ом, що забезпечує ефективну роботу та мінімальні втрати при провідності.

Заряд затвора

Заряд затвора (Qg) дорівнює 24 нКл. Цей параметр впливає на швидкість перемикання та навантаження на драйвер затвора, що важливо для оптимізації керуючих сигналів у імпульсних джерелах живлення.

Тип та монтаж транзистора

Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачувального типу. Монтаж виконується в отвори (THT) у корпусі TO220-3, що забезпечує надійне кріплення та відведення тепла. У комплекті постачається 10 одиниць транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.