Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP11N60, 650В, 11А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP11N60 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та напругою стік-витік 650 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220AB, що забезпечує монтаж на плату (THT).

• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 11 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO220AB (монтаж THT)
• Технологія: SuperFET®
• Комплект: 10 шт.

Тип транзистора та полярність

Транзистор є N-MOSFET з каналом типу N та уніполярною структурою. Канал є збагачуваним (enhancement mode), що визначає принцип роботи приладу. Максимальна напруга затвор-витік становить ±30 В, що обмежує допустимі рівні керуючого сигналу.

Струм та потужність

Максимальний постійний струм стоку дорівнює 11 А. Прилад здатний розсіювати потужність до 125 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,38 Ом, що впливає на нагрівання при роботі.