Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD900N60Z, 600 В, 3,5 А, DPAK (набір 10 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM073625
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD900N60Z, 600 В, 3,5 А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD900N60Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 3,5 А (імпульсний до 13,5 А)
- Потужність розсіювання: 52 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В. Максимальний струм стоку дорівнює 3,5 А, а імпульсний струм може досягати 13,5 А. Максимальна потужність розсіювання — 52 Вт.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі DPAK. Тип монтажу — SMD (поверхневий). Канал транзистора — збагачений (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 52 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴