Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCA47N60, 600 В, 29,7 А, TO3PN (2 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM073624
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCA47N60, 600 В, 29,7 А, TO3PN (2 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCA47N60 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з двох транзисторів у корпусі TO3PN для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 29,7 А (постійний), 141 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 417 Вт
- Опір у стані провідності: 70 мОм
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 29,7 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена становить 141 А, а максимальна розсіювана потужність — 417 Вт.
Конструкція та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO3PN. Монтаж здійснюється методом виведень на плату (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 417 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 29.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴