Транзистор Infineon F4150R12KS4BOSA1, IGBT, 150А, 1200В, EconoPACK™ 3

IGBT-модуль Infineon F4150R12KS4BOSA1 — це напівпровідниковий компонент у корпусі EconoPACK™ 3. Модуль поєднує два IGBT-транзистори у конфігурації напівмоста з номінальним струмом колектора 150 А та напругою 1200 В.

• Номінальний струм колектора 150 А
• Імпульсний струм до 300 А
• Максимальна напруга 1,2 кВ
• Розсіювана потужність 960 Вт
• Корпус EconoPACK™ 3 (AG-ECONO3-4)
• Монтаж Press-in PCB та прикручування

Висока потужність та струм

Модуль розрахований на постійний струм колектора 150 А, а в імпульсному режимі здатний витримувати до 300 А. Максимальна розсіювана потужність становить 960 Вт.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна зворотна напруга модуля досягає 1,2 кВ. Напруга керування між затвором та емітером обмежена ±20 В.

Зручний монтаж та конструкція

Компонент виконаний у стандартному корпусі AG-ECONO3-4 (технологія EconoPACK™ 3). Механічне кріплення здійснюється прикручуванням, а електричний контакт реалізовано через технологію Press-in PCB.

Топологія та структура

Внутрішня структура модуля включає два IGBT-транзистори, з'єднані у напівміст, а також NTC-термістор.