Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор ONSEMI ECH8695R-TL-W, N-MOSFET x2, 24В, 11А, корпус ECH8 (40 шт.)

2 230 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073450
Транзистор ONSEMI ECH8695R-TL-W, N-MOSFET x2, 24В, 11А, корпус ECH8 (40 шт.)
Транзистор ONSEMI ECH8695R-TL-W, N-MOSFET x2, 24В, 11А, корпус ECH8 (40 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор ONSEMI ECH8695R-TL-W — це набір із 40 штук подвійних N-MOSFET транзисторів у корпусі ECH8. Призначений для електронних схем, що потребують керування струмом до 11 А та напругою до 24 В.

  • Тип: подвійний N-MOSFET транзистор
  • Струм стоку: 11 А, імпульсний: 60 А
  • Напруга стік-витік: 24 В
  • Корпус: ECH8, монтаж SMD
  • Захист від ESD
  • Кількість у наборі: 40 шт.

Основні параметри

Транзистор має структуру з двома каналами та спільним стоком. Максимальний струм стоку становить 11 А, а імпульсний струм — 60 А. Напруга стік-витік дорівнює 24 В, а напруга затвор-витік — ±12,5 В. Опір у відкритому стані — 9,1 мОм.

Застосування та надійність

Компонент призначений для систем контролю заряду акумуляторів. Наявність захисту від електростатичного розряду (ESD) підвищує надійність під час монтажу та експлуатації. Поверхневий монтаж (SMD) у корпусі ECH8 дозволяє компактно розміщувати компоненти на друкованих платах.

Комплектація

У пакеті постачається 40 транзисторів. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується дана модель.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання1.4 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12.5 В
Максимально допустима напруга стік-витік24 В
Максимально допустимий струм стоку11 А
Опір у відкритому стані (Rds)9.1 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусECH8
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 230 ₴