Транзистор ONSEMI DTA115EET1G, PNP, SOT416, 50 В, 0,1 А, комплект 150 шт.
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM035528
Транзистор ONSEMI DTA115EET1G, PNP, SOT416, 50 В, 0,1 А, комплект 150 шт.В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI DTA115EET1G — це біполярний PNP-транзистор типу BRT (Built-in Resistor Transistor) у корпусі SOT416 (SC75). Комплект складається зі 150 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний, BRT
- Корпус: SC75 (SOT416), монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,2 Вт
- Вбудовані резистори: 100 кОм
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Вбудовані резистори для спрощення схеми
Транзистор має вбудовані резистори з номіналом 100 кОм. Наявність вбудованих резисторів дозволяє зменшити кількість зовнішніх компонентів у схемі.
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 50 В, а струм колектора — 0,1 А. Потужність розсіювання обмежена 0,2 Вт. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 80...150.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у мініатюрному корпусі SC75 (SOT416).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC75, SOT416 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴